La mémoire SRAM a été inventée en 1963 chez Fairchild Semiconductor suite aux recherches sur l’IBM CMOS en 1959, ce qui a mené au lancement de la SRAM 3101 par Intel, en 1969.
Avant la distribution massive du dispositif, l’utilisation discrète et facilement accessible de la mémoire était fondamentale pour beaucoup de systèmes. Les dispositifs SRAM répondaient à ce besoin. Ils utilisaient une adresse et une interface de données simples ainsi que la possibilité d'écrire et de lire n’importe lequel de ses emplacements mémoire.
Des années 70 aux années 2000, la mémoire SRAM a été massivement utilisée pour fournir des solutions de haute performance. Les avancées ajoutaient des interfaces synchrones plus complexes capables de suivre la hausse de demandes de microprocesseurs à haute vitesse, de DSP et de FPGA. Au départ, beaucoup de fournisseurs soutenaient ce marché mais il fut rapidement dominé par plusieurs fournisseurs japonais et coréens.
En ce qui concerne les designs et les applications modernes, les marchés discrets de SRAM ont fait leur temps. Les semi-conducteurs et les intégrations du XXIème siècle ont permis aux fournisseurs d’intégrer les SRAM directement dans d'autres dispositifs semi-conducteurs. Cependant, l'utilisation des SRAM pour des applications à long cycle de vie plus anciennes, comme les applications avioniques, de défense, industrielles ou médicales assurent une demande constante. Infineon, Cypress, Renesas, ISSI, et Alliance continuent à soutenir ce marché avec Rochester Electronics qui se voit bien placé pour subvenir à ces besoins grâce à ses stocks comprenant aussi bien des SRAM obsolètes qu’actives.
La DRAM est un autre type important de mémoire volatile. Cette mémoire précède la révolution des semi-conducteurs et peut retracer son origine jusqu'à la machine cryptanalytique, assignée au nom de code « Aquarius », utilisée par Bletchley Park pendant la Seconde Guerre Mondiale. On y lisait les bandes perforées d'une mémoire dynamique programmée, les caractères étaient enregistrés dans une mémoire dynamique sur une large batterie de condensateurs qui représentaient soit un 1, lorsqu'ils étaient chargés, soit un 0, lorsqu'ils n’étaient pas chargés. Étant donné que la tension s'épuisait graduellement, une impulsion périodique était appliquée. Ce qui est intéressant, c'est que ce mécanisme est devenu connu car la machine a déchiffré le code de la machine allemande Enigma.
L'idée d'utiliser une charge capacitive a contribué à trouver une solution en silicium pour la DRAM. En 1964, deux employés d’IBM, Arnold Farber et Eugene Schlig ont créé une cellule de mémoire programmée en utilisant une grille de transistor et une diode bloquée à effet tunnel. Cela a été remplacé par deux transistors et deux solutions de résistance, ce qui a donné lieu à la cellule de Farber-Schlig. En 1965, IMB a créé une puce mémoire en silicium de 16 bits composée de 80 transistors, de 64 résistances et de 4 diodes. Toshiba a utilisé une DRAM de 180 bits faite de cellules de mémoire bipolaires distinctes dans leurs calculatrices électroniques Toscal BC-1411.
En 1966, IMB fait avancer la technologie jusqu'au processus MOS (Métal-Oxyde-Semi conducteur) pour créer une alternative à la SRAM. En 1969, il a été utilisé par Advanced Memory Systems (une entreprise qui a fusionné avec Intersil en 1976) pour développer une puce de 1024 bits dont la vente a été limitée à Honeywell, Raytheon, et Wang Laboratories.
Le développement de la DRAM a marqué le début d'un progrès qui, encore aujourd'hui, est en constante évolution. En 1970, Honeywell s'est associée à Intel pour créer une cellule DRAM à trois transistors qui a mené au premier dispositif commercialisé dans le Intel 1103 avec 1k bit de mémoire. En 1973, Mostek a lancé une mémoire de 4k bits en utilisant une rangée et une colonne de lignes multiplexées, puis, en 1973, la MK4116 de 16k bits.
La capacité des DRAM a continué à augmenter, allant jusqu’à 64k bits de mémoire au début des années 80. Elles ont trouvé leur place sur le marché en atteignant un rapport prix-bit stable. Cependant, le produit devenait de plus en plus standard et, en 1985, Gordon Moore, de chez Intel, a décidé de retirer Intel du marché des DRAM. D'autres fournisseurs ont continué à soutenir les produits et, au fil du temps, les fournisseurs tels que Fujitsu, Hitachi, Mitsubishi Electric et Toshiba ont fini par dominer le marché.
La technologie des DRAM a continué à évoluer au XXIème siècle. Les capacités atteignent désormais 64 Go. Les progrès technologiques constants ont contribué à la réduction continue des coûts par bit pour les DRAM. Ces mêmes progrès ont permis une amélioration constante des performances tout en minimisant l’impact de l’énergie consommée par bit. Les améliorations des performances ont été réalisées sur les applications à travers plusieurs générations de changement d’interfaces cités ci-dessous.
Même si ces changements d'interface ont été bien accueillis pas les consommateurs et les applications de haute performance avec des cycles de produits courts, d'autres applications dépendantes d'un approvisionnement stable à long-terme ont moins tendance à accepter ces changements constants. Les fournisseurs actuels sur le marché, tels que Samsung, SK Hynix, Micron, Winbond et ISSI, ont chacun visé un segment du marché, certains fournissent des produits de dernière génération et d'autres se concentrent sur les produits plus anciens.
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