BSC018NE2LSIATMA1
En stock
Consultez la fiche produit du produit pour voir une image précise du produit.
Fabricant:Infineon
Catégorie:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Fiche technique
Partager la publication
Votre prix :$0.57(€0.49)
Économisez en achetant plus ! Consultez le tableau des tarifs.
Infineon
En stock: 18,406
Stock futur disponible :4,315
4,315 Prévu 2026/09/03
$0.5673(€0.49)|
Tarification
QTÉPrix unitaire100-499$0.5673(€0.49)500-999$0.5106(€0.44)1000-9999$0.4709(€0.40)10000-99999$0.4198(€0.36)100000+$0.3517(€0.30)
Les prix, la disponibilité et les délais de livraison sont soumis à vérification au moment de la commande.
Référence fabricant
BSC018NE2LSIATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000906030
Generic PN
BSC018NE2
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_106_25
Last Time Buy
9-30-2025
Last Time Ship
3-31-2026
Package Type
PG-TDSON-8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
5000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99