BSZ018NE2LSATMA1
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Fabricant:Infineon
Catégorie:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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Infineon
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Tarification
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Référence fabricant
BSZ018NE2LSATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000756338
Generic PN
BSZ018NE2
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
PG-TSDSON-8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
5000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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