BSZ036NE2LSATMA1
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Fabricant:Infineon
Catégorie:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Fiche technique
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Infineon
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Référence fabricant
BSZ036NE2LSATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000854572
Generic PN
BSZ036NE2
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_106_25
Last Time Buy
9-30-2025
Last Time Ship
3-31-2026
Package Type
PG-TSDSON-8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
5000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0065
ECCN
EAR99

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