IGB20N65S5ATMA1
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Fabricant:Infineon
Catégorie:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Fiche technique
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Infineon
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Référence fabricant
IGB20N65S5ATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001502564
Generic PN
IGB20N65
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
PG-TO263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99