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IPB180N10S402ATMA1
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Fabricant:Infineon
Catégorie:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
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Infineon
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388 Prévu 2026/09/08
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Référence fabricant
IPB180N10S402ATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001057184
Generic PN
XPB180N10
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
PG-TO263-7
Package Pin Count
7
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99
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