IPD35N10S3L26ATMA2
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0319ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
IPD35N10S3L26ATMA2
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP005549678
Generic PN
XPD35N10
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
PG-TO252-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
2500
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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