BSC082N10LSGATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
BSC082N10LSGATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000379609
Generic PN
BSC082N10
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_349_24
Last Time Buy
3-31-2025
Last Time Ship
9-30-2025
Package Type
PG-TDSON-8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
5000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99