BSC090N03MSGATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
BSC090N03MSGATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000313120
Generic PN
BSC090N03
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
Last Time Buy
3-31-2022
Last Time Ship
9-30-2022
Package Type
TDSON8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
5000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99