BSC159N10LSFGATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
BSC159N10LSFGATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000379614
Generic PN
BSC159N10LSF G
Manufacturer Life Cycle
NRND
Package Type
TDSON8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
5000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99