BSC205N10LSGATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
BSC205N10LSGATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000379616
Generic PN
BSC205N10
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
Last Time Buy
1-15-2015
Last Time Ship
7-15-2015
Package Type
DFN8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Quantity
0
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99