BSM100GB120DN2HOSA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Fiche technique
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Infineon
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QTÉPrix unitaire1-24$189.48(€165.62)25-99$183.80(€160.65)100-499$178.11(€155.68)500-999$172.43(€150.71)1000+$166.74(€145.74)
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Code du produit
BSM100GB120DN2HOSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000100720
Generic PN
BSM100GB120DN2
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
Last Time Buy
9-30-2023
Last Time Ship
6-30-2024
Package Type
Module
Package Pin Count
7
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tray
Packaging Quantity
10
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT Module
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99