BSM75GB170DN2HOSA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
BSM75GB170DN2HOSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000100464
Generic PN
BSM75GB170
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_015_16
Last Time Buy
3-31-2017
Last Time Ship
9-30-2017
Package Type
Module
Package Pin Count
0
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tray
Packaging Quantity
10
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT Module
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99