F475R06W1E3BOMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
F475R06W1E3BOMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000257413
Generic PN
F4XR06W1J
Manufacturer Life Cycle
EOL/LTB
PDN Number
PD_359_25
Last Time Buy
5-31-2026
Last Time Ship
11-30-2026
Package Type
AG-EASY1B-311
Package Pin Count
12
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tray
Packaging Quantity
24
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT Module
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99