FF900R12IE4BOSA1
En stock

Consultez la fiche produit du produit pour voir une image précise du produit.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Votre prix :$359.67(€315.35)
Votre prix :$359.67(€315.35)
Économisez en achetant plus ! Consultez le tableau des tarifs.
Infineon
En stock: 484
$359.67(€315.35)|

Tarification
Les prix, la disponibilité et les délais de livraison sont soumis à vérification au moment de la commande.
Code du produit
FF900R12IE4BOSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000614712
Generic PN
FFXR12I4F
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
AG-PRIME2-411
Package Pin Count
0
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tray
Packaging Quantity
3
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT Module
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99



