IMBG120R090M1HXTMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1200V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
IMBG120R090M1HXTMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP004463788
Generic PN
IMBG120RXM1H
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
PG-TO263-7
Package Pin Count
7
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99