IPB022N04LGATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
IPB022N04LGATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000391497
Generic PN
IPB022N04
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
Last Time Buy
1-31-2013
Last Time Ship
7-31-2013
Package Type
D2PAK
Package Pin Count
0
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
0
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99