IPB065N10N3GATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
IPB065N10N3GATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001232588
Generic PN
IPB065N10
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
CPD_252_22
Last Time Buy
3-31-2023
Last Time Ship
9-30-2023
Package Type
TO-263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99