IPB60R120C7ATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
IPB60R120C7ATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001385048
Generic PN
XPB60R120
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_319_24
Last Time Buy
3-3-2026
Last Time Ship
3-3-2026
Package Type
PG-TO263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99