IPDD60R190G7XTMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
IPDD60R190G7XTMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001632844
Generic PN
IPDD60R190G7
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
PG-HDSOP-1
Package Pin Count
10
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1700
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99