IPI024N06N3GXKSA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
IPI024N06N3GXKSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000680644
Generic PN
XPI024N06
Equivalent Standard OPN
IPI040N06N3G
Differences to Standard OPN
X-ROHS,K -Tube, S-10 Functional packing per box & A1 - Revision
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_106_25
Last Time Buy
9-30-2025
Last Time Ship
3-31-2026
Package Type
PG-TO262-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tube
Packaging Quantity
500
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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