NVMSD6N303R2G
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Manufacturer:onsemi
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Fiche technique
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onsemi
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Code du produit
NVMSD6N303R2G
Manufacturer
onsemi
Generic PN
NVMSD6N303
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
Last Time Ship
1-16-2016
Package Type
DIP8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tube
Packaging Quantity
0
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99