SGB02N120ATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Fiche technique
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Infineon
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Code du produit
SGB02N120ATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000012558
Generic PN
SGB02N120
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_258_19
Last Time Buy
9-30-2025
Last Time Ship
9-30-2025
Package Type
TO-263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99