Produit Vedette Du Mois

Composants analogiques et à signal mixte

FAN6080HMX

Le FAN6080HMX est un contrôleur MLI avancé pouvant atteindre une densité de puissance ≥ 10 W/in3 à alimentation isolée par retour-ligne de courant alternatif/continu à gamme d’entrée universelle. Il comprend un contrôle quasi-résonant (QR) avec une commutation creuse exclusive, afin de fournir une efficacité élevée en réduisant les pertes de commutation. Il possède la fonctionnalité d’exécution par impulsions MWSAVER® avec un courant de fonctionnement extrêmement faible (300 A) et une consommation d’énergie de veille réduite.

Processeurs et périphériques

R5F564MGDDFP#V1

Le R5F564MGDDFP#V1 fait partie du groupe de contrôleurs de 32 bits RX64M, basés sur l’architecture centrale de microprocesseur RXv2. Le microcontrôleur peut opérer jusqu’à 120 MHz et atteindre 240 DMIPS. Il a été conçu pour une faible consommation d'énergie et fonctionne à partir d'une alimentation unique allant de 2,7 à 3,6 V. Il possède une mémoire de code flash sans cycle d’attente, une mémoire de données flash sur puce et une mémoire SRAM. La gamme de composants offre une variété d’interfaces comprenant les options Ethernet IEEE-1588, USB et CAN, ainsi que des convertisseurs analogiques/numériques et numériques/analogiques de 12 bits.

Stockage de mémoire

S25FL127SABMFV000

Le S25FL127SABMFV000 est une mémoire série SPI flash de 128 bits (16 MB) et 3,3 V, basée sur la technologie MirrorBit, Architecture Eclipse™. L’empreinte et l’ensemble de commandes série des dispositifs sont compatibles avec les gammes S25FL-A, S25FL-K et S25FL-P SPI. La référence cataloguée est intégrée dans un boîtier SOIC à 16 broches et fonctionne dans l’intervalle de températures industrielles compris entre -40 °C et +105 °C.

Composants analogiques et à signal mixte

FM1608B-SG

Le FM1608B-SG est une mémoire ferroélectrique proposant une exécution non volatile et les fonctionnalités d’interface d’une SRAM. La technologie permet d’éliminer les inquiétudes et les inconvénients liés à la SRAM à batterie tout en proposant des délais d’écriture rapides et une forte endurance d’écriture. Le composant fonctionne avec une alimentation à partir de 5 V, propose une rétention des données pendant 38 ans, est caractérisé par un fonctionnement entre -40 °C et 85 °C et est disponible dans un boîtier SOIC à 28 broches.

Composants analogiques et à signal mixte

FGY120T65SPD-F085

Le FGY120T65SPD est un IGBT de 650 V et possède une tendance d’arrêt sur le terrain de 120 A. Le composant est proposé dans un boîtier TO-247-3 conforme aux normes du secteur, est revêtu d’une couche de diode « Extremefast » douce et à récupération rapide, est qualifié pour les applications automobiles et propose une température de jonction maximale de 175 °C.