Approvisionnement de bout en bout pour les transistors LDMOS, VDMOS et GaN1 d’Ampleon
Aider les concepteurs RF à éviter une reconception coûteuse pour les systèmes à longue durée de vie
Approvisionnement de bout en bout pour les transistors LDMOS, VDMOS et GaN1 d’Ampleon
Tous les concepteurs sont confrontés à un problème sans fin d’incompatibilité entre le cycle de vie de leur système et l'obsolescence des composants qui le constituent.
Ce défi est particulièrement évident sur des marchés tels que ceux de téléphonie mobile à haut débit, radiodiffusion, radio militaire, communications par satellite, radar, aérospatiale et certaines applications médicales, où chaque composant RF de la chaîne du signal constitue une partie « essentielle » et souvent d'origine unique.
Ampleon et Rochester Electronics ont établi un partenariat unique pour fournir à nos clients une source fiable et durable pour ces composants RF essentiels. Nous sommes conscients de l’importance d'une transition souple après un dernier achat, vers un partenaire autorisé fabricant des produits en fin de vie et à votre disposition.
L’inventaire de Rochester comprend 325 références et propose plus de 1,5 millions de produits finis Ampleon. De plus, nous avons des wafers et des dies en stock pour fournir une production sous-licence continue. Tous les produits sont 100 % autorisés et garantis conformes aux spécifications originales d’Ampleon et resterons disponibles pendant plusieurs années.
Dans le tableau ci-dessous, découvrez de quelle manière Rochester assure une production fluide des produits d’Ampleon tout en répondant aux besoins de nos clients de longue date.
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Référence de base |
Description |
| Transistor MOS à HF/VHF | |
| Transistor VDMOS à VHF push/pull | |
| Transistor LDMOS à UHF | |
| Transistor MOS à UHF | |
| BLF521 : transistor VDMOS à UHF | |
| Transistor LDMOS à radar en bande L | |
| GaN HEMT 50W & 200W de puissance RF à haut débit | |
| GaN HEMT 10W & 30W de puissance RF à haut débit | |
| Transistor de micro-ondes NPN | |
| Transistor de puissance RF | |
| Transistor de micro-ondes NPN | |
| TM-10 : GaN HEMT 10W de puissance RF à haut débit |
Les concepteurs RF peuvent dormir sur leurs deux oreilles sachant que les reconceptions coûteuses liées à l’obsolescence peuvent être évitées et qu'un plan sans risque existe concernant l’approvisionnement à long terme.
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